| 題名: | Investigation of AlGaN/GaN MOS-HEMT with In-Situ Doped Al2O3 by Using Ultrasonic Pyrolysis Deposition |
| 作者: | 李景松 |
| 作者群: | W .C. Hsu、Y. P. Huang、C. S. Lee |
| 系所/單位: | 電子工程學系 |
| 期刊名/會議名稱: | 2019 International Conference on Materials Sciences and Nanomaterials |
| 會議地點 : | University of Oxford |
| 會議舉行國家 : | United Kingdom |
| 日期: | 07-22-19 |
| 會議資料 : | 摘要集+CD |
| 學年度: | 108 |
| 分類: | 會議論文 |
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