完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 劉柏谷 | |
| dc.contributor.author | 張育銓 | |
| dc.contributor.author | 莊家豪 | |
| dc.date | 97學年度第一學期 | |
| dc.date.accessioned | 2009-06-02T07:56:09Z | |
| dc.date.accessioned | 2020-05-29T08:37:14Z | - |
| dc.date.available | 2009-06-02T07:56:09Z | |
| dc.date.available | 2020-05-29T08:37:14Z | - |
| dc.date.issued | 2008-12-25T02:46:42Z | |
| dc.date.submitted | 2008-12-25 | |
| dc.identifier.other | D9465663、D9428469、D9422462 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.fcu.edu.tw/handle/2377/730 | - |
| dc.description.abstract | 本專題中，我們藉由銻原子當做介面活化劑研究氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體之特性。其氮砷化銦鎵通道是藉由分子束磊晶(MBE)方式成長，這是第一次研究成功混入銻原子來提高其特性。藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體有非常良好的高熱穩定特性，包括了其熱門檻係數(Vth/T)只有-0.807 mV/K和高溫線性(GVS/T)也只有-0.053 mV/K，而且成功達成改善晶格缺陷品質還有增加了載子限制的能力在氮砷化銦鎵/砷化鎵異質結構中。由實驗結果可知，藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷化銦鎵/砷化鎵高電子移動率電晶體證明了其有最大外質轉導值94 (109) mS/mm 在 450 (300) K的時候，這說明了其高熱穩定特性的表現。 | |
| dc.description.tableofcontents | 摘要 １ 目錄 ２ 圖目錄 ４ 第一章 簡介 ５ 第二章 HEMT之基礎 ７ 2-1 HEMT簡介 ７ 2-2 HEMT結構層介紹 ９ 第三章 元件結構與製程 １２ 3-1元件結構 １２ 3-2元件製程 １３ 3-2-1樣本定位 １３ 3-2-2高台絕緣 １３ 3-2-3源極與汲極歐姆接觸組成 １４ 3-2-4閘極蕭特基接觸組成 １４ 第四章 實驗數據與討論 １６ 4-1霍爾量測 １６ 4-2 I-V特性分析 １７ 4-3閘汲極兩端斷路特性分析 １９ 4-4外質轉導和汲極電流與閘極電壓溫度特性分析 ２０ 4-5最大轉導溫度特性分析 ２２ 第五章 結論 ２４ 參考資料 ２５ | |
| dc.format.extent | 32p | |
| dc.language.iso | zh | |
| dc.rights | openbrowse | |
| dc.subject | 氮砷化銦鎵/砷化鎵 | |
| dc.subject | 介面活化劑 | |
| dc.subject | 銻 | |
| dc.title | 氮砷化銦鎵(銻)/砷化鎵高電子移動率電晶體高熱穩定特性之研製 | |
| dc.type | Undergracase | |
| dc.description.course | 化合物半導體元件 | |
| dc.contributor.department | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| dc.description.instructor | 李景松 | |
| dc.description.programme | 電子工程學系, 資訊電機學院 | |
| 分類: | 資電097學年度 | |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|---|
| D942246297101.pdf | 465.65 kB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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