銻砷化銦鎵/砷化鎵 摻雜通道式場效電晶體之研製

Abstract

本專題首次提出用分子束磊晶(MBE)系統成長In0.2Ga0.8AsSb/GaAs異質接面的摻雜通道式場效電晶體(DCFET)。其接面品質在In0.2Ga0.8AsSb/GaAs摻雜通道式場效電晶體(DCFET)的量子井(QW)獲得明顯的改善，藉由引入類似表面活性劑的銻原子成長在有參雜矽的砷化銦鎵通道層上，並利用穿透式電子顯微鏡(TEM)來觀察接面平整度之改變。其中改善的元件特性包括最大外值轉導(gm, max)( 161.5 mS/mm)、最大汲源極飽和電流密度(IDSS, max) (230 mA/mm)、閘極電壓振幅(GVS) (1.65V)、截止頻率(fT)( 12.5GHz)以及最大振盪頻率(fmax) (25 GHz)，以上參數在閘極尺寸為1.2  200 m2且溫度在300 K時所量測，另外本專題也顯示熱穩定臨界係數(Vth/T) (-0.7 mV/K)。