| 題名: | 金屬鈀奈米晶粒於非揮發性記憶體之特性研究 |
| 作者: | 許家豪 李百樵 |
| 關鍵字: | 非揮發性記憶體 NVSM 穿隧效應 tunneling |
| 系所/單位: | 電子工程學系, 資訊電機學院 |
| 摘要: | 在目前的諸多文獻當中，以金屬奈米晶粒取代傳統Poly-si做為主要解決氧化層的缺陷導致漏電流問題的方法，如金屬閘極-氧化層-metalnanocrystal-氧化層-Si結構，眾多文獻中，使用了許多金屬作為金屬奈米晶粒使用，如Ni(鎳)，Au(金)、Ag(銀)、Pt(鉑)，以及Pd(鈀)金屬奈米晶粒，我們有興趣於Pd（鈀）奈米晶粒作為捕捉電子之浮動閘之研究，因為在眾多文獻中，各界投入各種金屬的研究，但是以Pd的不同製程、不同回火條件這方面為研究主題的論文以及相關數據相對的比較缺乏，又Pd相較於其他金屬，有其較優良的特性，例如更大的量子井，造成較佳的保存能力，又文獻中，以Pd為奈米晶粒的記憶體，擁有+3.7/-2.5的Memory window在17V的操作電壓之下[1]，另外又有+6/-6V的Memory window在17V的操作電壓之下的數據[2]，相較於其他奈米晶粒，理應更有利用的價值，故我們在本專題中，將著重於針對Pd不同回火溫度之特性量測研究 |
| 日期: | 2009-01-16T03:35:25Z |
| 學年度: | 97學年度第一學期 |
| 開課老師: | 李景松 |
| 課程名稱: | 化合物半導體元件 |
| 系所: | 電子工程學系, 資訊電機學院 |
| 分類: | 資電097學年度 |
文件中的檔案：
| 檔案 | 描述 | 大小 | 格式 | |
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| D965032697101.pdf | 1.32 MB | Adobe PDF | 檢視/開啟 |
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